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内地含税价

1

￥5.734912
10

￥5.410294
100

￥5.104051
500

￥4.815143
1000

￥4.542588

Infineon Technologies IPN60R2K0PFD7SATMA1

Name: IPN60R2K0PFD7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPN60R2K0PFD7SATMA1
Price: 5.73 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPN60R2K0PFD7SATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPN60R2K0PFD7SATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-261-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V

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--最小包装量--

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IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V

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IPN60R2K0PFD7SATMA1详情

技术参数

Infineon Technologies IPN60R2K0PFD7SATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-261-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

6W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 30μA
操作温度

-40°C~150°C TJ
系列

CoolMOS™PFD7
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 500mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

134pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

650V
Vgs（最大值）

±20V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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IPN60R2K0PFD7SATMA1拓展信息

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