Infineon Technologies IPN60R360P7SATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

7W Tc

Turn Off Delay Time

42 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ P7

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 2.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 140μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

555pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.36Ohm

漏源击穿电压

600V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant