Infineon Technologies IPP030N10N3GHKSA1
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IPP030N10N3GHKSA1
1211-IPP030N10N3GHKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
1最小包装量--
IPP030N10N3GHKSA1详情
Infineon Technologies IPP030N10N3GHKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
84 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
300W
接通延迟时间
34 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 275μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14800pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
206nC @ 10V
上升时间
58ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
14.8nF
最大rds
3 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IPP030N10N3GHKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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