Infineon Technologies IPP051N15N5AKSA1

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Tc

Turn Off Delay Time

25.5 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™ 5

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.1m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.6V @ 264μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7800pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

120A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

20.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant