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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥35.961039
10
¥33.925509
100
¥32.005199
500
¥30.193579
1000
¥28.484507
Infineon Technologies IPP051N15N5XKSA1
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- 对比
IPP051N15N5XKSA1
1211-IPP051N15N5XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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TRENCH >=100V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP051N15N5XKSA1详情
Infineon Technologies IPP051N15N5XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
厂商
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.6V @ 264μA
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
系列
OptiMOS?5
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.1mOhm @ 60A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7800 pF @ 75 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
150 V
Vgs(最大值)
±20V
IPP051N15N5XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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