Infineon Technologies IPP052N06L3GHKSA1
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IPP052N06L3GHKSA1
1211-IPP052N06L3GHKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
1最小包装量--
IPP052N06L3GHKSA1详情
Infineon Technologies IPP052N06L3GHKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
115W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 58μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8400pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
IPP052N06L3GHKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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