IPP052NE7N3GHKSA1
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Infineon Technologies IPP052NE7N3GHKSA1

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型号

IPP052NE7N3GHKSA1

utmel 编号

1211-IPP052NE7N3GHKSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

起订量

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IPP052NE7N3GHKSA1
IPP052NE7N3GHKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

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IPP052NE7N3GHKSA1详情

Infineon Technologies IPP052NE7N3GHKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    PG-TO220-3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    80A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    150W Tc

  • Turn Off Delay Time

    30 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.2mOhm @ 80A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.8V @ 91μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4750pF @ 37.5V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    68nC @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    75V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    80A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    75V

  • 输入电容

    4.75nF

  • 漏源电阻

    5.2mOhm

  • 最大rds

    5.2 mΩ

  • 高度

    15.95mm

  • 长度

    10.36mm

  • 宽度

    4.57mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

IPP052NE7N3GHKSA1拓展信息

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