Infineon Technologies IPP054NE8NGHKSA2

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.4m Ω @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12100pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

85V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0054Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

85V

雪崩能量等级（Eas）

826 mJ

达到SVHC

compliant