Infineon Technologies IPP06CNE8N G

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

214W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 180μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9240pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

138nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

85V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

85V

雪崩能量等级（Eas）

480 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准