Infineon Technologies IPP084N06L3GHKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

79W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 34μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

79W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4900pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 4.5V

上升时间

26ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

50A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0084Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

60V

高度

15.95mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准