Infineon Technologies IPP200N15N3GHKSA1
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IPP200N15N3GHKSA1
1211-IPP200N15N3GHKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-220
1最小包装量--
IPP200N15N3GHKSA1详情
Infineon Technologies IPP200N15N3GHKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 90μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
150W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1820pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
1.82nF
最大rds
20 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IPP200N15N3GHKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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