Infineon Technologies IPP50R199CPHKSA1
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IPP50R199CPHKSA1
1211-IPP50R199CPHKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 550V TO-220
1最小包装量--
IPP50R199CPHKSA1详情
Infineon Technologies IPP50R199CPHKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
139W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 660μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1800pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
550V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPP50R199CPHKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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