Infineon Technologies IPP60R600CPXKSA1

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.1A Tc

已出版

2008

系列

CoolMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 3.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 220μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6.1A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅