Infineon Technologies IPP80N04S3-06
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IPP80N04S3-06
1211-IPP80N04S3-06
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T
--最小包装量--
IPP80N04S3-06详情
Infineon Technologies IPP80N04S3-06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IPP80N04S3-06
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Risk Rank
5.64
Drain Current-Max (ID)
80 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
超低电阻
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0057 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
125 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
88 W
IPP80N04S3-06拓展信息
Infineon Technologies
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