Infineon Technologies IPP80P04P4L06AKSA1
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IPP80P04P4L06AKSA1
1211-IPP80P04P4L06AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220
1最小包装量--
IPP80P04P4L06AKSA1详情
Infineon Technologies IPP80P04P4L06AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
88W Tc
Turn Off Delay Time
61 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 150μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6580pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
104nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
+5V, -16V
下降时间(典型值)
44 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
-40V
输入电容
5.06nF
漏源电阻
10.8mOhm
最大rds
6.7 mΩ
高度
15.65mm
长度
10mm
宽度
4.4mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
IPP80P04P4L06AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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