Infineon Technologies IPS118N10N G

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.8m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 83μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4320pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-251AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.0118Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准