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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.59825
10
¥4.33797
100
¥4.092424
500
¥3.860781
1000
¥3.642241
Infineon Technologies IPS60R1K0CEAKMA1
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IPS60R1K0CEAKMA1
1211-IPS60R1K0CEAKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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IPS60R1K0CEAKMA1详情
Infineon Technologies IPS60R1K0CEAKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
NO
Number of Elements
1
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
最大双电源电压
600V
漏极-源极导通最大电阻
1Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12A
雪崩能量等级(Eas)
46 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPS60R1K0CEAKMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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