IPS60R3K4CEAKMA1
IPS60R3K4CEAKMA1

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Infineon Technologies IPS60R3K4CEAKMA1

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型号

IPS60R3K4CEAKMA1

utmel 编号

1211-IPS60R3K4CEAKMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

CONSUMER

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IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies CONSUMER

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IPS60R3K4CEAKMA1详情

Infineon Technologies IPS60R3K4CEAKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 表面安装

    NO

  • Number of Elements

    1

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    无卤素

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-251

  • 最大双电源电压

    600V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    3.4Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    3.9A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    6 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IPS60R3K4CEAKMA1.

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IPS60R3K4CEAKMA1拓展信息

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