Infineon Technologies IPS65R650CEAKMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

86W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 210μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

700V

Vgs（最大值）

±20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

雪崩能量等级（Eas）

142 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅