Infineon Technologies IPS70R600CEAKMA2
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IPS70R600CEAKMA2
1211-IPS70R600CEAKMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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IPS70R600CEAKMA2详情
Infineon Technologies IPS70R600CEAKMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
漏极-源极导通最大电阻
0.6Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18A
DS 击穿电压-最小值
700V
雪崩能量等级(Eas)
55 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IPS70R600CEAKMA2拓展信息
Infineon Technologies
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