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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.897758
10
¥2.733734
100
¥2.578994
500
¥2.433013
1000
¥2.295296
Infineon Technologies IPSA70R1K2P7SAKMA1
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- 对比
IPSA70R1K2P7SAKMA1
1211-IPSA70R1K2P7SAKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPSA70R1K2P7SAKMA1详情
Infineon Technologies IPSA70R1K2P7SAKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
25W Tc
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P7
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 900mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 40μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
174pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.8nC @ 400V
漏源电压 (Vdss)
700V
Vgs(最大值)
±16V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9.4A
DS 击穿电压-最小值
700V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPSA70R1K2P7SAKMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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