Infineon Technologies IPT012N06NATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerSFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

240A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

214W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-F2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.3V @ 143μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9750pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

124nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

41A

漏极-源极导通最大电阻

0.0012Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

960A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

420 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant