Infineon Technologies IPT020N10N5ATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerSFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Ta 260A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

273W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

系列

OptiMOS™5

零件状态

活跃

终止次数

8

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-F8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 150A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 202μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11000pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

152nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

31A

漏极-源极导通最大电阻

0.002Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1039A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

406 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准