Infineon Technologies IPT026N10N5ATMA1
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IPT026N10N5ATMA1
1211-IPT026N10N5ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
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TRENCH >=100V
--最小包装量--
IPT026N10N5ATMA1详情
Infineon Technologies IPT026N10N5ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27A Ta 202A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
214W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
系列
OptiMOS™5
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6m Ω @ 150A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 158μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8800pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
IPT026N10N5ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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