Infineon Technologies IPT029N08N5ATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerSFN

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

52A Ta 169A Tc

Power Dissipation (Max)

168W Tc

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.8V @ 108μA

系列

OptiMOS™ 5

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PSSO-F2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.9m Ω @ 150A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6500pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

52A

漏极-源极导通最大电阻

0.0029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

676A

DS 击穿电压-最小值

80V

雪崩能量等级（Eas）

124 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant