Infineon Technologies IPT65R033G7XTMA1
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IPT65R033G7XTMA1
1211-IPT65R033G7XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
大陆
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MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8
--最小包装量--
IPT65R033G7XTMA1详情
Infineon Technologies IPT65R033G7XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
制造商包装标识符
PG-HSOF-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
69A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
391W Tc
Turn Off Delay Time
85 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
功率耗散
391W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
33m Ω @ 28.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.44mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5000pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
69A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
2.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPT65R033G7XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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