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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.264988
10
¥18.174517
100
¥17.145771
500
¥16.175256
1000
¥15.259675
Infineon Technologies IPT65R195G7XTMA1
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- 对比
IPT65R195G7XTMA1
1211-IPT65R195G7XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
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HIGH POWER_NEW
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IPT65R195G7XTMA1详情
Infineon Technologies IPT65R195G7XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
97W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
195m Ω @ 4.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 240μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
996pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPT65R195G7XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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