IPTG018N08NM5ATMA1
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Infineon Technologies IPTG018N08NM5ATMA1

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型号

IPTG018N08NM5ATMA1

utmel 编号

1211-IPTG018N08NM5ATMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerSFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8

起订量

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IPTG018N08NM5ATMA1
IPTG018N08NM5ATMA1 Infineon Technologies TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8

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IPTG018N08NM5ATMA1详情

Infineon Technologies IPTG018N08NM5ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerSFN

  • 供应商器件包装

    PG-HSOG-8-1

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    32A (Ta), 253A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    6V, 10V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3.8V @ 159μA

  • Power Dissipation (Max)

    3.8W (Ta), 231W (Tc)

  • Base Product Number

    IPTG018N

  • Continuous Drain Current Id

    253

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1800

  • Part # Aliases

    IPTG018N08NM5 SP005575190

  • Manufacturer

    Infineon

  • Brand

    Infineon Technologies

  • RoHS

    Details

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 包装

    Reel

  • 子类别

    MOSFETs

  • 功率耗散

    231

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.8mOhm @ 150A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    9200 pF @ 40 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    127 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    80 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    MOSFET

0个相似型号

IPTG018N08NM5ATMA1拓展信息

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IRFR5505TRPBF
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IRFR220NTRPBF
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IRFP260NPBF
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IRFR9024NTRPBF
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IRLR2905TRPBF
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IRFR9120NTRPBF
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IRLR024NTRPBF
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IRLL2705TRPBF
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