Infineon Technologies IPU50R950CEAKMA2

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

53W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 1.2A, 13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

231pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12.8A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

68 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant