Infineon Technologies IPU60R1K4C6BKMA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

40 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 90μA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

28.4W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

2008

操作温度

-55°C~155°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

28.4W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 1.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.4nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

3.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

场效应管特性

超级交界处

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

Non-RoHS Compliant