Infineon Technologies IPU60R1K5CEAKMA1

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 90μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

最大耗散功率(Abs)

49W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant