Infineon Technologies IPUH6N03LB G
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IPUH6N03LB G
1211-IPUH6N03LB G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
1最小包装量--
IPUH6N03LB G详情
Infineon Technologies IPUH6N03LB G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
83W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.3m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 40μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2800pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
IPUH6N03LB G拓展信息
Infineon Technologies
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