Infineon Technologies IPW50R199CPFKSA1

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

139W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 660μA

系列

CoolMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 9.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

550V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17A

漏极-源极导通最大电阻

0.199Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

436 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准