Infineon Technologies IPW60R017C7XKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

106 ns

已出版

2013

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

446W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

650V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

109A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

495A

雪崩能量等级（Eas）

582 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

漏源电阻

15mOhm

高度

25.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant