Infineon Technologies IPW60R045P7XKSA1
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IPW60R045P7XKSA1
1211-IPW60R045P7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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HIGH POWER_NEW
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IPW60R045P7XKSA1详情
Infineon Technologies IPW60R045P7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
61A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
201W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1.08mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
CoolMOS™ P7
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 22.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3891pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
IPW60R045P7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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