Infineon Technologies IPW65R190CFDA

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

包装数量

240

Manufacturer Part Number

IPW65R190CFDA

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

TO-247

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

6

Samacsys Description

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3

Drain Current-Max (ID)

17.5 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Typical Turn-On Delay Time

12 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.5 V

Pd - Power Dissipation

151 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.211644 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000928268 IPW65R19CFDAXK IPW65R190CFDAFKSA1

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

68 nC

Tradename

CoolMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

171 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

53.2 ns

Id - Continuous Drain Current

17.5 A

Turn Off Delay Time

53.2 ns

系列

CoolMOS CFDA

包装

Tube

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

151 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

151 W

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8.4 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

17.5 A

JEDEC-95代码

TO-247

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大双电源电压

650 V

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

57.2 A

输入电容

1.85 nF

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

484 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

190 mΩ

最大rds

190 mΩ

通态电阻

190 mΩ

产品类别

MOSFET

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

长度

16.13 mm

无铅

无铅