Infineon Technologies IRF100P218XKMA1
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IRF100P218XKMA1
1211-IRF100P218XKMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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StrongIRFET IR Transistor MOSFET 100V 462A 3-Pin TO-247AC Tube
--最小包装量--
IRF100P218XKMA1详情
Infineon Technologies IRF100P218XKMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
209A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
556W Tc
Turn Off Delay Time
170 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
StrongIRFET™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
功率耗散
3.8W
接通延迟时间
50 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.28m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 278μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
25000pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
555nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
209A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
24.99mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRF100P218XKMA1拓展信息
Infineon Technologies
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