Infineon Technologies IRF1010E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRF1010E

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Part Package Code

TO-220AB

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

3.71

Drain Current-Max (ID)

75 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

30

Enclosure

TO 220

Manuf. code

INF

Max. operating temperature

+175°C

Channels#

1

Content

1pc(s)

Power (max) P(TOT)

200W

系列

HEXFET®

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

N channel

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

81 A

漏极-源极导通最大电阻

0.012 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

330 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

170 W

环境耗散-最大值

170 W