Infineon Technologies IRF1010EZL
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IRF1010EZL
1211-IRF1010EZL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
--最小包装量--
IRF1010EZL详情
Infineon Technologies IRF1010EZL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
140W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5m Ω @ 51A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2810pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
86nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IRF1010EZL拓展信息
Infineon Technologies
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