Infineon Technologies IRF1010N

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRF1010N

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Part Package Code

TO-220AB

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

3.68

Drain Current-Max (ID)

75 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

30

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

68 A

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

290 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

115 W

环境耗散-最大值

130 W