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'irf1405strl'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

晶体管元件材料

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

附加功能

电压 - 额定直流

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

通道数量

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs（最大值）

极性/通道类型

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

恢复时间

最大结点温度（Tj）

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IRF1405STRL

International Rectifier

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IRF1405STRL

Infineon Technologies

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

2

SILICON

IRF1405STRL

无

Obsolete

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

5.08

75 A

1

1

175 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

小概要

30

e0

无

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

SINGLE

鸥翼

225

compliant

3

R-PSSO-G2

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

131 A

0.0053 Ω

680 A

55 V

590 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

200 W

IRF1405STRLPBF

Infineon Technologies

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

3

SILICON

130 ns

131A Tc

10V

1

200W Tc

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2004

HEXFET®

e3

活跃

1 (Unlimited)

2

EAR99

5.3MOhm

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

55V

鸥翼

260

131A

30

R-PSSO-G2

1

Single

增强型MOSFET

200W

DRAIN

13 ns

N-Channel

SWITCHING

5.3m Ω @ 101A, 10V

4V @ 250μA

5480pF @ 25V

260nC @ 10V

190ns

±20V

110 ns

131A

20V

75A

55V

680A

590 mJ

130 ns

175°C

5.084mm

10.668mm

9.65mm

无

ROHS3 Compliant

Contains Lead, Lead Free