Infineon Technologies IRF1902PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

4.2A

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

5.9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

310pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 4.5V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

输入电容

310pF

漏源电阻

85mOhm

最大rds

85 mΩ

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅