Infineon Technologies IRF2804STRR7PP
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IRF2804STRR7PP
1211-IRF2804STRR7PP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
--最小包装量--
IRF2804STRR7PP详情
Infineon Technologies IRF2804STRR7PP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK (7-Lead)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
160A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
330W Tc
Turn Off Delay Time
130 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
330W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6mOhm @ 160A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6930pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
260nC @ 10V
上升时间
120ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
130 ns
连续放电电流(ID)
160A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
输入电容
6.93nF
漏源电阻
2mOhm
最大rds
1.6 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF2804STRR7PP拓展信息
Infineon Technologies
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