Infineon Technologies IRF3000PBF
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IRF3000PBF
1211-IRF3000PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF3000PBF详情
Infineon Technologies IRF3000PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
300V
额定电流
1.6A
功率耗散
2.5W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400mOhm @ 960mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
730pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
7.2ns
漏源电压 (Vdss)
300V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
1.6A
漏源击穿电压
300V
输入电容
730pF
最大rds
400 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF3000PBF拓展信息
Infineon Technologies
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