Infineon Technologies IRF3315STRR

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 94W Tc

已出版

1997

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

82m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant