Infineon Technologies IRF3415STRR
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IRF3415STRR
1211-IRF3415STRR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
--最小包装量--
IRF3415STRR详情
Infineon Technologies IRF3415STRR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
43A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 200W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
150V
额定电流
43A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42mOhm @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
200nC @ 10V
上升时间
55ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
43A
输入电容
2.4nF
最大rds
42 mΩ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
IRF3415STRR拓展信息
Infineon Technologies
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