Infineon Technologies IRF3706LPBF
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IRF3706LPBF
1211-IRF3706LPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
1最小包装量--
IRF3706LPBF详情
Infineon Technologies IRF3706LPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
供应商器件包装
TO-262
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
77A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V 10V
Power Dissipation (Max)
88W Tc
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
8.5MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
77A
元素配置
Single
功率耗散
88W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2410pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 4.5V
上升时间
87ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
4.8 ns
连续放电电流(ID)
77A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
2.41nF
漏源电阻
10.5mOhm
最大rds
8.5 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF3706LPBF拓展信息
Infineon Technologies
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