Infineon Technologies IRF3706SPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

88W Tc

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

8.5MOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

77A

元素配置

Single

功率耗散

88W

接通延迟时间

6.8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2410pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 4.5V

上升时间

87ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

4.8 ns

连续放电电流(ID)

77A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

输入电容

2.41nF

漏源电阻

10.5mOhm

最大rds

8.5 mΩ

栅源电压

2 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅