Infineon Technologies IRF3707STRRPBF
- 收藏
- 对比
IRF3707STRRPBF
1211-IRF3707STRRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
1最小包装量--
IRF3707STRRPBF详情
Infineon Technologies IRF3707STRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
Turn Off Delay Time
11.8 ns
Power Dissipation (Max)
87W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
62A Tc
系列
HEXFET®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
87W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.5m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1990pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 4.5V
上升时间
78ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.3 ns
连续放电电流(ID)
62A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
IRF3707STRRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。