Infineon Technologies IRF3808LPBF
- 收藏
- 对比
IRF3808LPBF
1211-IRF3808LPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 75V 106A TO-262
1最小包装量--
IRF3808LPBF详情
Infineon Technologies IRF3808LPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
供应商器件包装
TO-262
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
106A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
200W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7mOhm @ 82A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5310pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
220nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
75V
Vgs(最大值)
±20V
IRF3808LPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。